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產品名稱：浙江OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀
產品型號： FE-5000S
產品廠商：OTSUKA大塚電子
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簡單介紹：

OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀代理 FE-5000S塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司 FE-5000S除了可實現高精度薄膜分析的橢圓偏振光譜外， FE-5000S還可以通過實施自動可變測量角度機制來處理所有類型的薄膜。除了傳統的旋轉分析儀方法外，通過安裝自動延遲板分離機構提高了測量精度。　

詳情介紹：

OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀代理 OTSUKA大塚電子塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司 FE-5000S除了可實現高精度薄膜分析的橢圓偏振光譜外， FE-5000S還可以通過實施自動可變測量角度機制來處理所有類型的薄膜。除了傳統的旋轉分析儀方法外，通過安裝自動延遲板分離機構提高了測量精度。

塔瑪薩崎電子代理OTSUKA大塚電子 FE-5000S

測量對象

半導體晶片
柵極氧化薄膜、氮化物薄膜
SiO₂，Si x Oy，SiN，SiON，SiNx，Al₂O₃罪_xO_y，多晶硅，硒化鋅，BPSG，TiN
光刻膠光學常數（波長色散）
化合物半導體
鋁_x加語_（1-x）作為多層，非晶硅
FPD
取向膜
各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜
TiO₂，SiO₂，防反射膜
在 G 線（436nm）、H 線（405nm）和 I 線（365nm）
等波長下進行光刻 N，K 評估

塔瑪薩崎電子代理OTSUKA大塚電子 FE-5000S

測量項目

橢圓參數（tanψ， cosΔ）測量
光學常數（n：折射率，k：消光系數）分析
膜厚分析

型	FE-5000S	FE-5000
樣本量	*大 100x100mm	*大 200x200mm
測量方法	旋轉分析儀法^*1
測量膜厚度范圍（nd）	0.1納米~1微米
入射（反射）角度范圍	45~90°	45~90°
入射（反射）角度驅動系統	自動標志桿驅動系統
入射光斑直徑^*2	φ2.0	φ1.2蘇普^*3
tanψ 測量精度	±0.01以下
cosΔ 測量精度	±0.01以下
薄膜厚度的可重復性	0.01%以下^*4
波長范圍^*5	300~800nm	300~800nm
測量光源	高穩定性氙氣燈^*6
舞臺驅動系統	手動	手動/自動
裝載機支持	壞	差強人意
尺寸、重量	650（寬）×400（深）×593（高）毫米 50公斤	1300（寬）×890（深）×1750（高）毫米 350公斤^*7

*1 可以驅動偏光片，可以安裝和拆卸對盲區有效的減速板。
*2 因短軸和角度而異。
*3 微光斑支持（可選） *4 此值是使用 VLSI 標準 SiO2 薄膜（100 nm）
時的值。
*5 選擇自動階段時的值。

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產品名稱：浙江OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀