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產品詳情
簡單介紹：
塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司OTSUKA大塚 Zeta電位，粒徑，分子量測量系統 ELSZneo
OTSUKA大塚橢圓光譜儀 FE-5000/5000S
詳情介紹：
特征
- 可在紫外可見光（300~800nm）波長范圍內進行橢圓參數測量。
- 能夠對納米量級的多層薄膜進行膜厚分析
- 通過 400 個或更多通道的多通道光譜快速測量橢圓光譜
- 用于薄膜詳細分析的可變反射角測量
- 通過創建光學常數數據庫和添加配方注冊功能來提高可操作性
測量項目
- 橢圓參數 （tanψ， cosΔ） 測量
- 光學常數（n：折射率，k：消光系數）分析
- 膜厚分析
測量對象
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半導體晶片
柵極氧化薄膜、氮化物薄膜
SiO2，Si x Oy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3罪xOy，多晶硅，硒化鋅，BPSG，TiN
光刻膠光學常數（波長色散） -
化合物半導體
鋁x加語（1-x）作為多層，非晶硅 -
FPD
取向膜 -
各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜 -
光學薄膜
TiO2，SiO2，防反射膜 -
在 G 線 （436nm）、H 線 （405nm） 和 I 線 （365nm）
等波長下進行光刻 N，K 評估
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