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產品詳情
簡單介紹：
RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圓的負載鎖定蝕刻設備，用于各種半導體膜和絕緣膜的高精度、高均勻性。
詳情介紹：
概述
RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圓的負載鎖定蝕刻設備，用于各種半導體膜和絕緣膜的高精度、高均勻性。 放電形式采用獨特的龍卷風線圈感應耦合等離子體，可產生均勻的高密度等離子體。 此外，您還可以根據加工材料和加工內容選擇合適的等離子源。
特點
新型ICP源「HSTC?： Hyper Symmetrical Tornado Coil」
高射頻功率（2 kW 或更高）可高效、穩定地應用，以實現良好的均勻性。
大流量排氣系統
通過采用與反應室直接相連的排氣系統，實現了從小流量、低壓區域到大流量、高壓范圍的各種工藝窗口。
支持端點監視器
它支持干涉型和發光光譜端點監視器，可在目標薄膜厚度下進行端點檢測。
易于維護的設計
TMP（渦輪分子泵）和高頻電源單元化，便于更換。
應用示例
? 化合物半導體（如 GaN、GaAs 和 InP）的高精度蝕刻
半導體激光器和光子晶體的制造
選項
干擾端點監視器
可實現高精度的端點檢測，并控制蝕刻深度。
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