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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
雖然設(shè)計(jì)緊湊，可
沉積到 ±8 英寸晶圓上，但樣品為 ±3 英寸晶圓，可同時(shí)沉積 5 個(gè)晶圓，4 英寸晶圓可同時(shí)形成 3 個(gè)薄膜，1 個(gè) ±8 英寸晶圓可以沉積。
詳情介紹：
概述
PD-220NL 是一種負(fù)載鎖定設(shè)備，基于 PD-220 系列等離子 CVD 設(shè)備的經(jīng)驗(yàn)而開發(fā)，該設(shè)備具有豐富的交付記錄。 該裝置設(shè)計(jì)緊湊，但基板有效直徑為±220mm，通過托盤輸送，可同時(shí)形成多個(gè)小直徑晶圓。 我們旨在形成各種硅薄膜（SiO+、SiN 等），可處理從尖 端研究到大規(guī)模生產(chǎn)的各種應(yīng)用。
特點(diǎn)
雖然設(shè)計(jì)緊湊，可
沉積到 ±8 英寸晶圓上，但樣品為 ±3 英寸晶圓，可同時(shí)沉積 5 個(gè)晶圓，4 英寸晶圓可同時(shí)形成 3 個(gè)薄膜，1 個(gè) ±8 英寸晶圓可以沉積。
配備負(fù)載
鎖定室，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的過程。
應(yīng)用示例
可以形成
氮化硅膜、氧化硅膜和非晶硅膜，形成各種硅基薄膜。
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