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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
主要特長(zhǎng)
能夠用于研究開發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。
能夠?qū)?yīng)半導(dǎo)體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。
由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應(yīng)時(shí)間。
此外,還可以根據(jù)客戶需求,提供相應(yīng)的裝置構(gòu)造。
詳情介紹：
光刻機(jī)介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″
光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）
?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要規(guī)格
| 型式 | MX-1201 | MX-1201E | MX-1205 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| *小線幅 (※1) | [μm] | 5 | 3 | 2 | 1 | |||
| 數(shù)據(jù)分辨率 | [μm] | 0.488 | 0.25 | 0.1 | 0.05 | |||
| *大基板尺寸 | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | ||||
| 有效曝光范圍 | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | ||||
| 激光主波長(zhǎng) | [nm] | 405 | 375 | 405 + 375 | 405 | 375 | 375 | |
| 曝光掃描速度 | [mm/s] | 43.94 | 22.5 | 9 | 4.5 | |||
| 節(jié)拍時(shí)間 | [s,min] | 180 [s] | 320 [s] | 16 [min] | 27 [min] | |||
| *大曝光量 | [mJ/c㎡] | 245 | 70 | 245 + 70 | 460 | 135 | 50 | 100 |
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