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產品名稱：OTSUKA大冢-分光器FE-5000S
產品型號：　FE-5000S
產品廠商：OTSUKA大塚電子
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簡單介紹：

　FE-5000S OTSUKA大冢-分光器除了能夠高精度的薄膜解析的分光中，通過實現(xiàn)測量角度的自動可變機構，也對應于所有種類的薄膜。除以往的旋轉檢光子法之外，通過設置相位差版的自動脫穿機構，提高了測定精度。OTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000S

詳情介紹：

FE-5000S

OTSUKA大冢-分光器

除能夠進行高精度薄膜解析的分光光導儀外，通過安裝測定角度的自動可變機構，也適用于所有種類的薄膜.。除傳統(tǒng)的旋轉光子法外，還設置了相位差版的自動解吸機構，提高了測量精度.

OTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000SOTSUKA大冢-分光器FE-5000S

特長。
在紫外可見(250到800 nm)波長范圍內進行光導參數(shù)測量。
納米計量器等級的多層薄膜的膜厚分析是可能的。
能夠通過400ch以上的多通道分光法快速測定光導頻譜。
反射角可變測量可實現(xiàn)更詳細的薄膜分析。
通過光學常數(shù)的數(shù)據(jù)庫化以及**登錄功能的追加，提高操作性。
通過層膜擬合解析的光學常數(shù)測定，可以進行膜厚·膜質管理。

測量項目。
光導參數(shù)(tanψ、cosΔ)測量。
光學常數(shù)(n：折射率，k：衰退系數(shù))分析。
膜厚的解析。

用途。
半導體晶圓。
柵氧化薄膜。
SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
光刻膠的光學常數(shù)(波長分散)。
化合物半導體。
AlxGa(1-x)As多層膜，非晶硅。
FPD。
取向膜。
等離子體顯示器的ITO，MgO等。
各種新素材。
DLC(Diamond Like Carbon)，超導用薄膜，磁頭薄膜。
光學薄膜。
TiO2、SiO2、多層膜、防反射膜、反射膜。
光刻領域。
g射線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)，KrF(248nm)等各波長的n，k評價

仕　様

型式	FE-5000S	FE-5000
測定サンプル	反射測定サンプル
サンプルサイズ	100x100mm	200x200mm
測定方式	回転検光子法^*1
測定膜厚範囲(nd)	0.1nm～
入射（反射）角度範囲	45～90°	45～90°
入射（反射）角度駆動方式	自動サインバー駆動方式
入射スポット徑^*2	約φ2.0	約φ1.2sup^*3
tanψ測定正確さ	±0.01以下
cosΔ測定正確さ	±0.01以下
膜厚の繰り返し再現(xiàn)性	0.01%以下^*4
測定波長範囲^*5	300～800nm	250～800nm
分光検出器	ポリクロメータ（PDA、CCD）
測定用光源	高安定キセノンランプ^*6
ステージ駆動方式	手動	手動/自動
ローダ対応	不可	可
寸法、重量	650（W)×400（D)×560（H）mm 約50kg	1300（W)×900（D)×1750（H）mm 約350kg^*7
ソフトウェア
解析	*小二乗薄膜解析（屈折率モデル関數(shù)、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など）理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時解析）

*1　偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
*2　短軸?角度により異なります。
*3　微小スポット対応（オプション）
*4　VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5　この波長範囲內で選択可能です。
*6　測定波長により光源が異なります。
*7　自動ステージ選択時の値です。