日本HORIBA堀場(chǎng):計(jì)量學(xué)，HORIBA 的顆粒檢測(cè)和去除系統(tǒng)對(duì)于提高半導(dǎo)體光刻工藝的產(chǎn)能至關(guān)重要。

日本HORIBA堀場(chǎng):顆粒檢測(cè)系統(tǒng)

半導(dǎo)體制程綜合顆粒檢測(cè)

For Semiconductor manufacturing processes, where the most advanced micro-fabrication techniques are used, quality management is a critical issue that directly impacts business.

It is important to constantly inspect for the presence of particle contamination. By making use of advanced analysis technologies, HORIBA provides cost effective leading-edge particle detection solution to semiconductor manufactures.

日本HORIBA堀場(chǎng) 薄膜分析

薄膜分析

Thin Film Analysis

日本HORIBA堀場(chǎng) LEM Series

我們的實(shí)時(shí)干涉工藝監(jiān)測(cè)儀可在蝕刻/沉積制程中對(duì)薄膜厚度和溝槽深度進(jìn)行高精度檢測(cè)。根據(jù)應(yīng)用的不同，LEM 攝像頭包含 670、905 或 980 nm 激光器，當(dāng)安裝在任何干法蝕刻/沉積制程處理室上，直接俯視晶圓時(shí)，會(huì)在樣品表面產(chǎn)生小激光點(diǎn)。

單色光照射到樣品表面時(shí)會(huì)發(fā)生干涉，由于薄膜的厚度和高度變化，會(huì)導(dǎo)致不同的光程長度。
可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻/沉積速率和厚度，也允許條紋計(jì)數(shù)或更復(fù)雜的分析，為各種工藝提供增強(qiáng)的制程控制終點(diǎn)檢測(cè)。此外，接口可通過其反射率的變化來檢測(cè)。

一般特征

由于采用干涉測(cè)量技術(shù)，LEM 攝像頭非常適合蝕刻/沉積速率監(jiān)測(cè)、條紋計(jì)數(shù)和終點(diǎn)檢測(cè)，提供薄膜厚度和溝槽深度以及接口的高精度檢測(cè)。
LEM 攝像頭可以安裝在任何處理室上，直接俯視晶圓，并提供樣品表面的實(shí)時(shí)數(shù)字 CCD 圖像，使光斑定位更簡(jiǎn)單。

GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀

用輝光放電光譜儀去發(fā)現(xiàn)一個(gè)嶄新的信息世界

GD-Profiler 2? 可以快速、同時(shí)分析所有感興趣的元素，包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對(duì)易碎樣品進(jìn)行測(cè)試，廣泛應(yīng)用于高校以及工業(yè)研究實(shí)驗(yàn)室，其應(yīng)用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發(fā)以及LED 質(zhì)量控制等。

• 射頻發(fā)生器是 E 類標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進(jìn)行了優(yōu)化以滿足實(shí)時(shí)表面分析。

• 射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對(duì)于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測(cè)試。

• 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學(xué)效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。

• HDD 探測(cè)器兼具檢測(cè)速度和靈敏度。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實(shí)時(shí)測(cè)量濺射坑深度和剝蝕速率。

• 寬敞簡(jiǎn)潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡(jiǎn)單。

• QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報(bào)告編寫工具。

• **激光中心定位裝置（**號(hào)：Fr0107986/國際**種類：G01N 21/67）可定位樣品測(cè)試位置。

 HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實(shí)現(xiàn)n+1元素通道的同時(shí)也提高了設(shè)備的靈活性。

• 輝光源結(jié)合超快速、高分辨的同步光學(xué)器件，可對(duì)導(dǎo)體、非導(dǎo)體和復(fù)合材料進(jìn)行快速元素深度剖析。

• 適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級(jí)深度分辨率。

• 典型應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機(jī)和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高動(dòng)態(tài)探測(cè)器可以測(cè)量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可選附件單色儀配備的也是高動(dòng)態(tài)探測(cè)器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設(shè)備的靈活性。

• 脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動(dòng)匹配。

• 輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。

• 內(nèi)置等離子清洗功能。

• 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機(jī)材料。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP，可直接在線測(cè)定深度。

• 用于異形樣品測(cè)試的各種銅陽極和附件。

• Windows 10 軟件 – 為遠(yuǎn)程安裝提供多個(gè)副本

應(yīng)用：

脈沖式射頻GD-OES分析含有金屬和金屬氧化物納米顆粒的薄膜

HORIBA Scientific 是法國研究項(xiàng)目的合作伙伴，在同一個(gè)腔室中將納米粒子噴霧耦合到 PVD 生長層上。許多關(guān)于這類新材料的研究都使用脈沖式射頻 GD-OES 來分析顆粒的深度分布和復(fù)合層的厚度。

脈沖式射頻 GD-OES表征鋰電池電極的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。

鋰電池是一種可充電電池，通過鋰離子在陽極和陰極之間遷移，產(chǎn)生電流。無論您是研究新電極、涂層行為、充電和放電過程、過程控制，還是對(duì)鋰電池進(jìn)行性能比較研究，脈沖式射頻GD-OES都是有價(jià)值的測(cè)試工具。

日本HORIBA堀場(chǎng)  RP-1

光罩/掩膜顆粒去除設(shè)備

RP-1 通過空氣（或 N2）和真空抽吸自動(dòng)去除光罩/掩膜上的顆粒。在光刻工藝前定期去除顆粒可延長薄膜的更換周期和掩膜的清洗周期，從而降低運(yùn)行成本。

制造商: HORIBA, Ltd.

• 減少操作人員的日常工作，防止人為損壞薄膜
• 消除人工操作，防止靜電放電損壞
• 在光罩存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)掩膜的前后去除顆粒，可以延長掩膜壽命
• 結(jié)合 PR-PD 系列光罩/掩膜顆粒檢測(cè)系統(tǒng)，可確認(rèn)去除顆粒后光罩/掩膜的狀態(tài)。