• 可在紫外可見（300~800nm）波長范圍內測量橢圓參數
• 納米級多層薄膜的厚度分析
• 使用 400ch 或更多多通道光譜快速測量橢圓光譜
• 通過可變反射角度測量支持薄膜的詳細分析
• 通過數據庫化光學常數和添加配方注冊功能，提高可操作性

• 橢圓參數（tan= 、cosΔ）測量
• 光學常數 （ n ： 折射率 ， k ： 消光系數 ） 分析
• 厚度分析

• 半導體晶圓
  柵極氧化薄膜、氮化膜
  SiO₂，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al₂O₃，SiN_xO_y，poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
  電阻的光學常數（波長色散）
• 化合物半導體
  鋁_xGa_(1-x)As 多層膜，非晶硅
• FPD
  對準膜
• 各種新材料
  DLC（Diamond Like Carbon）、超導薄膜、磁頭薄膜
• 光學薄膜
  TiO₂，SiO₂，防反射膜
• 光刻領域
  

• g 線 （436nm）、h 線 （405nm） 、i 線 （365nm） 等各波長的 n，k 評價

類型表達式	FE-5000S	FE-5000
樣本大小	高達 100x100mm	*大 200x200mm
測量方法	旋轉分析儀*1
測量膜厚范圍（nd）	0.1nm～1μm
入射（反射）角度范圍	45～90°	45～90°
入射（反射）角度驅動方式	自動正弦桿驅動系統
入射點直徑*2	φ2.0	φ1.2sup*3
tanψ測量精度	±0.01 或更少
cosΔ 測量精度	±0.01 或更少
薄膜厚度的重復再現性	0.01% 或更少*4
波長范圍*5	300～800nm	300～800nm
測量光源	高穩定性 Xenon 燈*6
舞臺驅動系統	手動	手動/自動
加載器支持	不可以	是
尺寸、重量	650（W)×400（D)×593（H）mm 50kg	1300（W)×890（D)×1750（H）mm 350kg*7

*1 偏振器可驅動，緩速板可拆卸，對不敏感帶有效。
*2 因短軸和角度而異。
*3 微點對應（可選）
*4 使用 VLSI 標準 SiO2 膜 （100nm） 時的值。
*5 選擇自動階段時的值。